武汉12m晶振的电阻

现在的电子书籍的内容是将已经出版的纸书籍的文字和插图转换成数字信息的电子文件通过印刷,装订,流通的成本和节省空间的东西多,不过,也有并用了以前的纸的书写不能的超链接,动态图像,声音,振动(振动)等的内容.电子书籍因为是便携式信息终端,所以要求与类似机器的功能同样的对应,可以预想在高功能化发展以后这样的应用会扩大.有了晶振等电子元器件,越来越多生活中的日常被电子智能化。优点：1、小型便携式产品搭载了手机功能；2、网络阅览功能；3、包含单波段视听的动画再生功能+；4、音乐播放功能。晶体元件的负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。武汉12m晶振的电阻

晶体元件的负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。晶振的负载电容=[(Cd*Cg)/(CdCg)]Cic△C式中Cd,Cg为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容,Cic(集成电路内部电容)△C(PCB上电容).就是说负载电容15pf的话，两边个接27pf的差不多了，一般a为6.5~13.5pF各种逻辑芯片的晶振引脚可以等效为电容三点式振荡器。苏州值得信赖晶振电容晶振的设计考虑事项:使晶振、外部电容器(如果有)与IC之间的信号线尽可能保持较短。

贴片无源晶振，小型，超薄型具备强防焊裂性，石英晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性，产品本身具有耐热，耐振，耐撞击等优良的耐环境特性，满足无铅焊接以及高温回流温度曲线要求较适合使用在汽车电子领域中，也是特别要求高可靠性的引擎控制用CPU的时钟部分。贴片有源晶振产品本身具有高稳定性，低消耗电流，精度高，低抖动，低功耗，覆盖频率范围宽等特点，外观采用金属封装，具有充分的密封性能，晶振本身能确保其高可靠性，采用编带包装，可对应产品应用到自动贴片机高速安装，主要应用于无线通信，智能手机，笔记本电脑，蓝牙，数码相机，WLAN网络等产品，符合RoHS/无铅。满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求。贴片石英振荡器具有优良的电气特性，耐环境性能适用于移动通信领域。

活性下降的根本原因是晶振材料本身中的杂质,并且具有易于出现问题的晶体的可能性将随着晶体材料加工的更好控制而降低。水晶制造商非常努力地保持材料尽可能干净,因此活动下降的可能性非常低。然而,它永远不会变为零,活动下降对于设备制造商来说是一个长期存在的问题。活动逢低可以做些什么?有三种选择忽略它们因为概率比较低-这在某些情况下是有意义的。然而,确实发生了低概率事件,并且由于问题的性质,它们可能在较痛苦的情况下发生:在现场。虽然这对于低成本的消费设备来说可能是可以接受的;但它可能成为运营商级设备的严重问题。在将其送入现场之前,用于活动倾斜的筛分设备-通过在温度上升和降低设备的同时监测系统活动时间的下降,可以有效地筛选晶体。只需支付适当的费用,您就可以购买已经过晶振厂家筛选活动的晶体。晶振的设计考虑事项:将晶振外壳接地。

晶体谐振器由石英构成,石英是一种压电材料,其电连接到结构上的机械应力。这种机电行为使晶体对印刷电路板上的振动(通常称为声发射)比较敏感。声发射可能因印刷电路板中的裂缝或其他缺陷而发生,并可能严重干扰晶体的谐振频率。嵌入式晶体架构比直接焊接到印刷电路板的外部晶体具有更高的声发射隔离。对于高精度时钟要求,较终的声发射可能会干扰系统的运行,嵌入式晶体Si5332的稳定性可以为系统增加比较大的价值。将晶体封装在封装内会带来额外的电磁屏蔽,防止干扰.在复杂的设计中,时钟发生器生活在大量快速切换的数字信号中,这种额外的保护是提供可靠时钟的关键.数字耦合进入焊盘的晶体是每个设计师都知道的问题之一,但它仍然是延迟和返工的主要原因之一。在通常工作条件下，普通的晶振频率一定精度可达百万分之五十。天津陶瓷晶振供货商

在水晶片上印加电场会造成水晶片的变形即产生逆压电效应，利用这种特性产生机械振荡，变换成电气信号。武汉12m晶振的电阻

晶振的各种参数：1、温度频差：在规定条件下，在工作温度范围内相对于基准温度（25±2℃）时工作频率的允许偏差。2、老化率：在规定条件下，晶体工作频率随时间而允许的相对变化。以年为时间单位衡量时称为年老化3、静电容：等效电路中与串联臂并接的电容，也叫并电容，通常用C0表示。4、负载电容：与石英晶振一起决定负载谐振频率fL的有效外界电容，通常用CL表示。5、负载电容系列是：8PF、12.5PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。6、负载谐振频率（fL）：在规定条件下，石英晶振与一负载电容相串联或相并联，其组合阻抗呈现为电阻性时的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个，在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。7、动态电阻：串联谐振频率下的等效电阻。用R1表示。武汉12m晶振的电阻

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