武汉电磁吸盘可控硅集成调压模块

时间:2019年11月29日 来源:
武汉电磁吸盘可控硅集成调压模块,

晶闸管模块的类型

晶闸管模块通常被称之为功率半导体模块,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。

根据封装工艺的不同,晶闸管模块可分为焊接型和压型两种,晶闸管模块。

晶闸管模块可分为:普通晶闸管模块(MTC\MTX);普通整流模块(MDC);普通晶闸管、整流混合模块(MFC);快速晶闸管、整流混合模块(MKC\MZC);非绝缘型晶闸管、整流管及混合模块(通常称为电焊机**模块MTG\MDG);三相整流桥输出晶闸管模块(MDS);单相(三相)整流桥模块(MDQ);单相半控桥(三相全控桥)模块(MTS)。

武汉电磁吸盘可控硅集成调压模块,晶闸管模块

淄博正高电气有限公司坐落于交通便利、经济发达、文化底蕴深厚的淄博市临淄区,是专业从事电力电子产品、及其相关产品的开发、生产、销售及服务为一体的高科技企业。主要生产各类规格型号的晶闸管智能模块、晶闸管模块、可控硅模块、电力调整器、固态继电器模块、桥臂模块、整流桥模块、各类控制柜和配套模块使用的触发板、控制板等产品,并可根据用户需求进行产品设计加工。近年来,本公司坚持以人为本,始终立足于科技的前沿,狠抓产品质量,产品销往全国各地,深受用户的好评。 淄博正高电气有限公司伴随着发展的脚步,在社会各界及客户的大力支持下,生机勃发,春意盎然。面向未来,前程似锦,豪情满怀。今后,我们将进一步优化产品品质,坚持科技创新,一切为用户着想,以前列的服务为社会奉献高、精、尖的质量产品,不断改进、不断提高是我们不变的追求,用户满意是我们追求的方向。正高电气全体员工恭候各界朋友前来我公司参观指导,恰谈业务!

武汉电磁吸盘可控硅集成调压模块,晶闸管模块

晶闸管模块的工作原理

在晶闸管模块T的工作过程中,晶闸管模块的阳极A和阴极K与电源和负载相连,构成晶闸管模块的主电路。晶闸管模块的栅极G和阴极K与控制可控硅的装置相连,形成晶闸管模块的控制电路。

从晶闸管模块的内部分析工作过程:

晶闸管模块是一种四层三端器件。它有J1、J2和J3的三个pn结图。中间的NP可分为PNP型三极管和NPN型三极管两部分。

当晶闸管模块承载正向阳极电压时,为了制造晶闸管模块导体铜,承受反向电压的pn结J2必须失去其阻挡作用。每个晶体管的集电极电流同时是另一个晶体管的基极电流。因此,当有足够的栅极电流Ig流入时,两个复合晶体管电路会形成较强的正反馈,从而导致两个晶体管饱和导通,晶体管饱和导通。

武汉电磁吸盘可控硅集成调压模块,

晶闸管模块的工作条件:

1.当晶闸管模块承受正向阳极电压时,只有在门级承受正向电压时,晶闸管才打开。此时,晶闸管处于正导通状态,这就是晶闸管的晶闸管特性,即可控特性。

2.晶闸管模块开着时,只要有一定的正极电压,不管门级电压是多少,晶闸管都继续工作,即晶闸管接通后,门级就失去了功能。门级只会起到触发的作用。

3.当主电路电压(或电流)降至接近零时,当主电路电压(或电流)降为零时,晶闸管模块被关闭。

4.当晶闸管模块承受反向阳极电压时,无论门级承受何种电压,晶闸管都处于反向闭锁状态。在中频炉中整流侧关断时间采用KP-60微秒以内,逆变侧关短时间采用KK-30微秒以内。

武汉电磁吸盘可控硅集成调压模块,晶闸管模块

晶闸管模块的散热方法

晶闸管模块的功耗主要由导通损耗、开关损耗和栅极损耗组成。在工频或400Hz以下的更多应用是传导损耗。为了保证器件的长期可靠运行,散热器及其冷却方式的选择与功率半导体模块设计中电流、电压额定值的选择同等重要,不容忽视!散热器常用的散热方法有:自然空冷、强制空冷、热管冷却、水冷、油冷等。考虑散热的一般原则是,控制模块中管芯的连接温度Tj不超过产品数据表中给出的额定连接温度。

选择晶闸管模块散热器必须考虑的元素:

1、晶闸管模块的工作电流决定了所需的冷却面积。

2、晶闸管模块的使用环境。根据使用环境冷却条件来确定何种冷却方式,包括自然冷却、强制风冷和水冷。

3、设备的形状和体积,为散热预留空间的大小,根据这种情况来确定散热器的形状。

武汉电磁吸盘可控硅集成调压模块,

晶闸管模块产品特点:

1、芯片与基板电绝缘,电压2500V;

2、 国际标准封装;

3、压接结构,优良的温度特性和动力循环能力;

4、输入-输出端之间隔离耐压≥2500VAC;

5、200A以下为强制风冷,300A以上模块,可以选择风冷或水冷。

6、安装简单,使用维修方便,体积小,重量轻。

典型应用:

直流电源、交流开关、焊接设备、电机控制、调光、变频器、UPS电源、无触点开关、电机软起动、蓄电池充放电、静态无功功率补偿、工业加热控制、各种整流电源。

信息来源于互联网 本站不为信息真实性负责