武汉混合集成电路技术

时间:2024年01月13日 来源:

    下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1示出依据本申请一实施例的单芯片集成电路封装结构;图2示出依据本申请另一实施例的双芯片集成电路封装结构。具体实现方式为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚地描述,显然,所描述的实施例是本申请一部分的实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本申请保护的范围。下面结合本申请实施例的附图,对本实用新型实施例的技术方案描述如下。图1示出依据本申请一实施例的单芯片集成电路封装结构101,包括上基板1、元件3及下基板2,上基板1上的上层金属层4、下层金属层5以及下层金属层5上的联结pad6、7、8,下基板2上的上层金属层9、下层金属层10以及上层金属层9上联结pad11、12,下层金属层10上的联结pad13、14、15、16。上基板1与下基板2联结用的沉金17、18。找不到好的集成电路供应?来找深圳美信美科技。武汉混合集成电路技术

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    固定层a和自由层a的磁向之间的关系限定了mtj的电阻状态,并且从而使得多个存储单元a,至b,能够分别存储数据状态,数据状态具有基于存储单元内的工作mtj器件的电阻的值。例如,如果工作mtj器件a,具有低电阻状态,则存储单元a,将存储位值(例如,逻辑“”),或者如果工作mtj器件a,具有高电阻状态,则存储单元a,将存储位值。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本公司一直秉承优势服务,诚信合作的原则,以现代化管理以及优势的渠道价格、良好的信誉与广大客户建立了长期友好的合作关系,为广大厂商和市场客户提供优势的产品服务。例如,逻辑“”)。调节访问装置分别具有通过其可以控制提供给相关的工作mtj器件的电流的电阻。例如,调节访问装置a,被配置为控制提供给工作mtj器件a,的电流,调节访问装置b,被配置为控制提供给工作mtj器件b,的电流等。太原单极型集成电路集成电路具有规模生产能力,可靠性等特点。

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    在一些实施例中,集成芯片还包括布置在位于工作mtj器件正上方的存储单元内的工作mtj器件,工作mtj器件被配置为存储数据状态。在一些实施例中,工作mtj器件通过不延伸穿过衬底的连续导电路径连接在位线和字线之间。在其它实施例中,涉及集成电路。集成电路包括布置在衬底上方的介电结构内的互连层,互连层通过介电结构与衬底分隔开;以及调节mtj器件,布置在互连层正上方并且被配置为存储数据状态,工作mtj器件通过包括多个互连层并且不延伸穿过衬底的连续导电路径电连接在位线和字线之间。在一些实施例中,集成电路还包括调节访问装置,其具有连接在字线和工作mtj器件之间的调节mtj器件,调节mtj器件具有通过介电阻挡层与自由层分隔开的固定层。在一些实施例中,互连层从工作mtj器件正下方连续延伸至调节mtj器件正下方。在一些实施例中,集成电路还包括连接在字线和工作mtj器件之间的调节mtj器件,字线和字线连接至字线解码器。在一些实施例中,调节mtj器件与调节mtj器件具有不同的尺寸。在一些实施例中。集成电路还包括连接在位线和工作mtj器件之间的调节mtj器件,字线连接至字线解码器并且位线连接至位线解码器。在一些实施例中。

    连接至字线wl和wl的工作mtj器件也不受写入操作的步骤的影响。b的示意图所示,通过将数据状态写入存储器阵列的行中的存储单元a,内的工作mtj器件来实施写入操作的步骤。通过将非零偏置电压v(例如,v)施加至字线wl和wl,将非零偏置电压v(例如,v)施加至位线bl和bl并且将第三偏置电压v(例如,v)施加至位线bl来实施写入操作的步骤。非零偏置电压v(例如,v)和第三偏置电压v(例如,v)之间的差异使得电流i流过存储单元a,内的调节mtj器件。电流i小于切换电流isw,使得存储单元a,内的调节mtj器件的状态不变。然而,电流i(其流过存储单元a。内的工作mtj器件)的两倍大于切换电流isw,以将数据状态写入存储单元a,内的工作mtj器件。存储单元a,和第三存储单元a,内的工作mtj器件不受写入操作的步骤的影响,因为非零偏置电压v(例如,v)和非零偏置电压v。例如,v)之间的差异使得小于切换电流的电流i流过存储单元a,和第三存储单元a。内的调节mtj器件。然而,电流i的两倍小于切换电流isw,使得没有将数据状态写入至存储单元a,和第三存储单元a,内的工作mtj器件。图c示出了示出从工作mtj器件读取数据状态的读取操作的示意图的一些实施例。如示意图所示,通过将非零偏置电压v(例如。集成电路产业还甚至延伸至设备、材料市场。

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    凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本公司一直秉承优势服务,诚信合作的原则,以现代化管理以及优势的渠道价格、良好的信誉与广大客户建立了长期友好的合作关系,为广大厂商和市场客户提供优势的产品服务。在一些实施例中,调节访问装置可以包括与工作mtj器件并联连接的薄膜电阻器和薄膜电阻器。在各个实施例中,调节访问装置可以包括具有基本类似的尺寸或具有不同的尺寸的电阻器。存储器阵列通过多条位线bl至bl和多条字线wl至wl连接至控制电路。在一些实施例中。控制电路包括连接至多条位线bl至bl的位线解码器和连接至多条字线wl至wl的字线解码器。调节访问装置连接在字线wlx(x=或)和工作mtj器件之间,而工作mtj器件连接在调节访问装置和位线bly(y=或)之间。为了访问工作mtj器件。位线解码器被配置为基于从控制单元接收的地址saddr选择性地向一条或多条位线bl至bl提供信号(例如,电压)。而字线解码器被配置为基于从控制单元接收的地址saddr选择性地向一条或多条字线wl至wl提供信号(例如,电压)。调节访问装置被配置为调节电流(提供给相关的工作mtj器件的信号)。深圳美信美集成电路测试好。太原单极型集成电路

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    下基板2的上层金属层9、下层金属层10通孔沉金19、20,用于中间填充层的21,上基板1中间层22、下基板2中间层23。图2示出依据本申请一实施例的双芯片集成电路封装结构201,包括上基板1、元件3、元件4及下基板2,上基板1上的上层金属层5、下层金属层6以及下层金属层6上的联结pad7、8、9、10,下基板2上的上层金属层11、下层金属层12以及上层金属层11上的pad13、14、15、16,下层金属层12上的联结pad17、18、19、20、21、联结pad22。上基板1与下基板2联结用的沉金23、24,下基板2的上层金属层11、下层金属层12通孔沉金25、26、27、28,用于中间填充层的29,上基板1中间层30、下基板2中间层31。以上所述实施例用以说明本申请的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围,均应包含在本申请的保护范围之内。武汉混合集成电路技术

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